發光二極體(LED)市場火熱，但LED的散熱問題卻一直是造成LED難以大量普及的關鍵之一。原本為實現3D IC設計而研發的矽穿孔(TSV)技術，意外成為許多LED磊晶業者解決晶片散熱問題釜底抽薪之計，甚至可望搶在記憶體、高速邏輯晶片之先，成為TSV應用的開路先鋒。
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| 工研院電光所奈米電子技術組長顧子琨指出，LED業者已對TSV技術展現出非常濃厚的興趣。 |
工研院電光所奈米電子技術組長顧子琨表示，由於TSV技術可大幅縮減多晶粒封裝內部打線互聯的線路長度，更可實現非常高密度的封裝，因此一直以來均被半導體業界視為實現超高密度與高效能晶片的明日之星。然而，就像不同人觀賞同一幅抽象畫，可能會有不同的感受，在LED業者的眼中，TSV所能帶來的效能改善並不重要，但在晶粒上鑽孔再灌注銅材料的想法，卻使其成為絕佳的嵌入式散熱手段。
事實上，就顧子琨觀察，TSV在LED封裝上的應用導入速度，可能會比記憶體、高速邏輯晶片、互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器等來得更快。因為對高亮度LED的封裝而言，散熱一直是難以解決的燙手山芋，相較之下，不管是記憶體要增加封裝密度，或是邏輯晶片要追求更高的效能，都還有其他替代選項。
因此，顧子琨預期，高亮度LED的磊晶業者與封裝業者，可能在2011年便會開始大量導入TSV製程，以改善LED的散熱性能；至於影像感測器、記憶體等晶片，則須等到2012年，才有機會看到廠商將TSV應用在量產型的產品上。
